參考文獻 |
REFERENCES
[1] S. M. Sze, High speed semiconductor device, Murray Hill, New jersey.
[2] J. M. V. Hove, R. J. Schuelke, G. P. Thomes, J. D. Jorgenson, E. Y. Chang, R. M. Nagarajan, K. P. Pande, IEEE Electron Device Lett., vol. 9, pp. 530-532, 1988.
[3] M.Yanagihara, Y. Ota, K. Nishii, O. Ishikawa, A. Tamura, Electronics Lett., vol.28, pp.686-687, 1992.
[4] K. J. Chen, T. Enoki, K. Maezawa, K. Arai, M. Yamamoto, IEEE Trans. Electron Device ,vol 43, pp.252-257, 1996.
[5] D. W. Wu, R. Parkhurst, S. L. Fu, J. Wei, C. Y. Su, S. S. Chang, D. Moy, W. Fields, P. Chye, R. Levitsky. IEEE MTT-S, pp.1319 –1322, 1997.
[6] Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, T. K. Chen, T. H. Liu, S. P. Wang, T. H. Chen, C. T. Lee, IEEE Electron Device Lett., vol. 17, pp. 229-231, 1996.
[7] Y. C. Wang, J. M. Kuo, F. Ren, J. R. Lothian, J. S. Weiner, J. Lin, W. E. Mayo, Y. K. Chen, IEEE Electron Device Lett., vol. 18, pp. 550-552, 1997.
[8] M. T. Yang, and Y. J. Chan, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43, pp. 1174-1180, 1996.
[9] M. T. Yang, Ph.D Dissertation, National Central University, 1995.
[10] Y. J. Chan, M. T. Yang, IEEE Electron Device Lett., vol. 16, pp. 33-35, 1995.
[11] Y. S. Lin, S. S. Lu, Y. J. Wang, IEEE Electron Device Lett., vol. 16, pp. 518-520, 1995.
[12] M. Takikawa, T. Ohori, M. Takechi, M. Suzuki, and J. Komeno, J. Cryst. Growth, vol. 107, pp. 942-946, 1991.
[13] D. J. Chadi and K. J. Chang, Phys. Rev. B, vol. 39, pp. 10053-10074, 1989.
[14] Y. J. Chan, D. Pavlidis, M. Razeghi, and F. Omnes, IEEE Trans Electron Devices, ED-37,pp. 2141-2147, 1990.
[15] S.Kraus, H.Heiβ, D. Xu, M. Sexl, G. Bohm, G. Trankle and G. Weimann, Electronics Letters ,vol . 32, pp. 1619-1620, 1996.
[16] F. T. Chien, S. C. Chiol, and Y. J. Chan, IEEE Electron Device Lett. ,vol. 21, pp. 60-62, 2000.
[17] Y. C. Wang, Ph.D Dissertation, The State University of New Jersey, 1998
[18] L. S. Lai, H. C. Kao, and Y. J. Chan, Intl. Conf. on InP and Related Materials, pp. 231-234, Japan, 1998.
[19] D. R. Greenvberg and J. A. Alamo, IEEE Trans Electron Devices, vol. 43, pp. 1304-1306, 1996.
[20] R. Williams, Modren GaAs Processing Methods, Norwood : Artech House, 1990
[21] Y. C. Wang, J. M. Kuo, F. Ren, J. R. Lothian, H. S. Tsai, J. S. Weiner, H. C. Kuo, C. H. Lin, Y. K. Chen and W. E. Mayo, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 1404-1412, 1999.
[22] Y. Tkachenko, A. Klimashov, C. Wei, Y. Zhao and D. Bartle, GaAs IC Symp. Tech. Dig., pp.127-130, 1999.
[23] Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, M.C. Tai, T. H. Liu, S. P. Wang, K.C. Chuang , and C. T. Lee, IEEE Electron Device Lett., vol. 18, pp. 429-431, 1997.
[24] M. Hirose, K. Nishihori, M. Nagaoka, Y. Ikeda, A. Kameyama, Y.Kitaura, and N.Uchitomi, GaAs IC Symp. Tech. Dig., pp.237-240, 1996.
[25] A. Nagayama, S. Yamauchi, and T, Hariu, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 517-522, 2000.
[26] Y. J. Chan, D. Pavlidis, and G.I. Ng, IEEE Electron Device Lett., vol12, pp.360.362, 1991.
[27] D. Dieci, R. Menozzi, C. Lanzieri, L. Polenta, and C. Canali, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 261-268, 2000.
[28] K.Y. Hur, and R.C. Compton, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 40, pp. 1736-1739, 1993.
[29] N. B. de Carvalho, and J. C. Pedro, IEEE. Trans. Microwave Theory Tech., vol. 45, pp. 2364-2374, 1999.
[30] Y. S. Lin, S. S. Lu, and Y. J. Wang, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 44, pp. 921-929, 1997.
[31] R. Quay, R. Reuter, T. Grasser, S. Selberherr, Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, Dig., pp. 87 -92 , 1999 .
[32] J. Rodriguez-Tellez, B.P. Stothard, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 40, pp. 1730-1735, 1996.
[33] T. Ytterdal, B.J Moon, T.A. Fjeldly, M.S. Shur, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 42, pp. 1724-1733, 1995.
[34] M. Feng, D.R. Scherrer, P.J. Apostolakis, J.W. Kruse, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43, pp. 852-860, 1996.
[35] F.S. Shoucair, P. K. Ojala, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 39, pp. 1551-1557, 1992.
[36] T. Mizutani, K. Mazawa, IEEE Electron Device Lett., vol. 12, pp. 8-10, 1992.
[37] H. Hida, A. Okamoto, H. Toyoshima, and K. Ohata, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 34, pp. 1448-1455, 1987.
[38] W. Batty, C. E. Christoffersen, S. David, A. J. Panks, R.G. Joknson, C. M. Snowden, M. B. Steer, IEEE MTT-S, pp.667 –670, 2001.
[39] Y. C. Chou, G. P. Li, D. Leung, Z. Y. Wang, Y. C. Chen, R. Lai, C. S. Wu, R. Kono, P. H. Liu, J. Scarpulla, D. C. Streit, GaAs IC Symp. Tech. Dig., pp.165-168, 1997.
[40] S. Hiyamizu, J. Saito, K. Nanbu, T. Ishikawa, Jap. J. Appl. Phys., vol. 22, pp.609-611, 1983.
[41] R. Narasimhan, L. P. Sadwick, and R. J. Hwu, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, pp. 24-31, 1999.
[42] H. Wang, G. I. Ng, M. Gilbert, and P. J. O’Sullivan, Electronics. Lett., vol. 32, pp. 2026-2027, 1996.
[43] A. Nagayama, S. Yamauchi, T. Hariu, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 517-522, 2000.
[44] B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., vol. 21, pp. 268-270, 2000.
[45] L. S. Lai, Y. J. Chan, Solid-state Electronic, vol. 41, pp.1793-1797, 1998.
[46] P. E. Garrou, W. B. Rogers, D. M. Scheck, A. J. G. Strandjord, Y. Ida, K. Ohba, IEEE Trans Advanced Packaging, pp. 487-498, 1999.
[47] Y. Bito, N. Iwata, and M. Tomita, IEEE MTT-S Dig., pp.439-442., 1998,
[48] S. Yoshida et al, IEEE MTT-S Dig., pp.1183-1186., 1999.
[49] H. S. Kim, J. H. Choi, H. M Bang, Y. Jee, S. W. Yun, J. Burm, M. D. Kim, and A. G. Choo, Electronic Lett., vol.37, pp.455-456, 2001.
[50] H. C. Chiu, S. C. Yang, F. T. Chien, and Y. J. Chan, IEEE, Electron Device Lett., vol. 23, pp. 1-3, 2002.
[51] B. Boudart, C. Gaquiere, S. Trassaert, M, Constant, A, Lorriaux, and N. Lefebvre, Appl. Phy. Lett., vol. 74, pp. 3221-3223, 1999.
[52] H. C. Chiu, M. J. Hwu, S. C. Yang, and Y. J. Chan, IEEE, Electron Device Lett., vol. 24, pp.243-245, 2002
[53] Y. C. Chou, G. P. Li, Y. C. Chen, C. S. Wu, K. K. Yu, T. A. Midford, IEEE, Electron Device Lett., vol. 17, pp.479-481, 1996
[54] Y. C. Chou, G. P. Li, K. K. Yu, P. Chu, L. D. Hou, C. S. Wu, T. A. Midford, IEEE GaAs IC Symposium Digest, pp.46-49, 1996.
[55] R. Menozzi, P. Cova, C. Canali, and F. Fantini, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43, pp. 543-546, 1996.
[56] P. C. Chao, M. Shur, M. Y. Kao, B. R. Lee, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 39, pp. 738-740, 1992.
[57] N. B. de Carvalho, and J. C. Pedro, IEEE. Trans. Microwave Theory Tech., vol. 45, pp. 2364-2374, 1999.
[58] H. C. Chiu, S. C. Yang, and Y. J. Chan, IEEE Trans. Electron Device ,vol 48, pp.2210-2215, 2001.
[59] P. C. Chao, P. M. Smith, S. C. Palmateer, J. C. M. Hwang, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 32, pp. 1042-1046, 1985.
[60] T. Enoki, Y. Ishii, T. Tamamura, Intl. Conf. on InP and Related Materials, pp. 371-376, Japan, 1991.
[61] K. H. G. Duh, P. C. Chao, S. M. J. Liu, P. Ho, M.Y. Kao, J. M Ballingall, IEEE Microwave and Guided Wave Lett, pp. 114-116, 1991.
[62] W. Curtice, M. Ettenberg. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. pp.1383~1394, 1985.
[63] H. Statz, P. Newman, I. Smith, R. Pucel, H. Haus, IEEE Trans. Electron Devices; pp.160~169, 1987.
[64] A. Materka and T.Kacprzak. IEEE Trans. Microwave Theory Tech, pp.129~135, 1985.
[65] D. F. Kyser and N. S. Viswanathan, , J. Vac. Sci. Technol. 12(6), pp.1305-1308, 1975
[66] R. E. Howard, E. L. Hu, L. D. Jackel, IEEE Trans. Electron Devices; pp.1378~1381, 1981.
[67] Y. L. Lai, Ph.D Dissertation, National Chiao-Tung University, 1997.
[68] F. Robin, O. Homan and W. Bächtold, Intl. Conf. on InP and Related Materials, pp. 14-18, Japan, 2000.
[69] L. Tang et al, IEEE Electron Device Lett., vol. 7, pp. 75-77, 1985.
[70] R. Anholt, S. Swirhun, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Vol. 39 pp.1243~1247, 1991.
[71] G. Dambrine et al, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. vol. 36, pp.1511~1519, 1988.
[72] C. K. Lin, Mater Dissertation, National Central University, 2001.
[73] M. Berroth, R. Bosch, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Vol. 38 pp.891~895, 1990.
[74] C. K. Lin, W. K. Wang, Y. J. Chan, Solid-State Electronics, pp. 2135-2139, 2002.
[75] M. T. Yang, Ph. D Dissertation, National Central University, 1995.
[76] C. T. Ho, Mater Dissertation, National Central University, 2000.
[77] N. Ono, Y. Fuchida, J. Onomura, M. Amano, M. Masayuki, K. Yoshihara, E. Takagi, M. Konno, IEICE Transaction. on Electronics, vol E82-C, pp.1073-1079, 1999.
[78] N. Ono, K. Yamaguchi, M. Amano, M. Sugiura, Y. Iseki, E. Takagi, IEICE Transaction. on Electronics, vol E84-C, pp.1528-1534, 2001.
[79] M. Y. Kao, S. T. Fu, P. Ho, P. M. Smith, P. C. Chao, K. J. Nordheden, S. Wang, International Electron Devices Meeting, pp.319-321, 1992.
[80] J. C. Huang, P. Saledas, J. Wendler, A. Platzker, W. Boulais, S. Shanfield, W. Hoke, P. Lyman, L. Aucoin, A. Miquelarena, C. Bedard, D. Atwood, IEEE, Electron Device Lett., vol. 17, pp.456-458, 1993
[81] O. Vendier, J. P. Fraysse, C. Schaffauser, M. Paillard, C. Drevon, J. L. Cazaux, D. Floriot, N. C.Devignes, H. Blanck, P. Auxemery, W. de Ceuninck, R. Petersen, N. Haese, P. A. Rolland, IEEE MTT-S, pp.1389 –1292, 2002.
[82] F.J. Schmückle1, A. Jentzsch1, H. Oppermann2, K. Riepe, W. Heinrich, IEEE MTT-S, pp.1393 –1396, 2002. |