博碩士論文 90521042 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:28 、訪客IP:3.149.254.25
姓名 方啟鑫(Chi-Shin Fang)  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程學系
論文名稱 高反射p型氮化鎵歐姆接觸之研究
(Low-resistance ohmic contacts with high reflectivity on p-type GaN)
相關論文
★ 磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析★ 氮化鎵藍紫光雷射二極體之製作與特性分析
★ 氮化銦鎵發光二極體之研製★ 氮化銦鎵藍紫光發光二極體的載子傳輸行為之研究
★ 次微米磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體自我對準基極平台開發★ 以 I-Line 光學微影法製作次微米氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究
★ 矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體 通道層與緩衝層之成長與材料特性分析★ 磊晶成長氮化鎵高電子遷移率電晶體 結構 於矽基板過程晶圓翹曲之研析
★ 氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製及其光電特性之研究★ 砷化銦量子點異質結構與雷射
★ 氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析★ p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
★ 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體鈍化層穩定性與高頻特性之研究★ 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
★ 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響★ 二元與四元位障層應用於氮化銦鎵綠光二極體之光性分析
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 本篇論文研究將針對在p型氮化鎵(p–type GaN)材料上進行高反射率歐姆接觸電極之製作,將紫外光波段上有高反射率的金屬材料,鋁(Al)、銀 (Ag)應用於歐姆接觸電極合金中,在與傳統之p型氮化鎵歐姆接觸電極合金 Ni/Au 相比較,新的金屬合金材料不但可以得到低阻值的歐姆接觸,並且可以提供良好的反射率,極適合作為覆晶發光二極體高紫光反射率接觸電極之應用。
在我們製作電極之前,需先將鎂原子在p型氮化鎵薄膜材料中活化,使其呈現高導電性,活化條件為750℃、30分鐘時具有最高濃度,其值約為1.49×1017 cm-3。而我們嘗試的金屬組合中,Ni/Ag/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Pt/Al/Ti/Au、Pd/Ni/Al/Ti/Au都有不錯的電性表現,其特徵阻值(specific contact resistance)分別為1.28×10-3(ohm-cm2)、6.69×10-3(ohm-cm2)、9.58×10-3(ohm-cm2)、1.01×10-2(ohm-cm2),而對應到370nm的反射率則分別為74%、75%、65%、70%。再針對反射率有上較佳表現的金屬組合探討其熱穩定性,其中Ni/Ag/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Pt/Al/Ti/Au有明顯變差的趨勢,因此我們結論為Pd/Ni/Al/Ti/Au為應用上較佳的金屬組合。
摘要(英) In this letter, we reported a low-resistance, thermally stable and high-reflectivity Pd(3 nm)/Ni(2 nm)/Al(150 nm)/Ti(20 nm)/Au(30 nm) Ohmic contact to p-type GaN: Mg (1.5×1017 cm-3 ). The specific contact resistance of the contact is as low as 1.23×10-2 ohm-cm2. After 48 hours annealing in a N2 ambient at 500℃, the specific contact resistance keeps below 1.5 ×10-2 ohm-cm2. The effect of Ni barrier layer of improvement of thermal stability in Pd(3 nm)/Ni(2 nm)/Al(150 nm)/Ti(20 nm)/Au(30 nm) is proposed and discussed in this work. Reflectivity of Pd(3 nm)/Ni(2 nm)/Al(150 nm)/Ti(20 nm)/Au(30 nm) Ohmic contact in the wavelength range of 350 to 400 nm is about 70%, which is expected to be beneficial for the fabrication of high efficiency nitride-based ultraviolet flip-chip light-emitting diodes.
關鍵字(中) ★ 高反射
★ 歐姆接觸
關鍵字(英) ★ ohmic contact
★ reflectivity
論文目次 第一章 介紹……………………………………………………………01
第二章 金屬-半導體接面原理與實驗流程
2.1 歐姆接觸原理與傳輸線模型理論 …………………………03
2.2 p型歐姆接觸之半導體製程…………………………………09
2.2.1 試片表面清洗處理……………………………………10
2.2.2 p型氮化鎵材料活化 …………………………………11
2.2.3 黃光微影製程…………………………………………12
2.2.4 去除表面氧化層………………………………………13
2.2.5 蒸鍍金屬層及圖形剝離(lift off)…………………14
2.3 p型歐姆接觸及反射層的金屬選擇…………………………16
第三章 電流-電壓特性分析與討論 …………………………………19
3.1 Ni/Ag/Au 金屬電極…………………………………………19
3.2 Ni/Al/Ti/Au 金屬電極 ……………………………………23
3.3 Pd/Ag/Au 金屬電極…………………………………………25
3.4 Pd/Al/Ti/Au 金屬電極 ……………………………………26
第四章 反射率與熱穩定性探討………………………………………28
4.1 介紹 …………………………………………………………28
4.2 Ni/Ag/Au 金屬電極…………………………………………29
4.3 Pd/Al/Ti/Au 金屬電極 ……………………………………31
4.3.1 Pd/Pt/Al/Ti/Au 金屬電極……………………………33
4.3.2 Pd/Ni/Al/Ti/Au 金屬電極……………………………35
第五章 結論……………………………………………………………41
參考文獻 ………………………………………………………………42
參考文獻 1. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O’shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman, Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001)
2. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. N. Mohammad J. Appl. Phys. 93, 1087 (2002)
3. W. Gotz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996)
4. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996)
5. Hadis Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices, Springer, pp.196 (1999)
6. Ralph Williams, Modern GaAs Processing Methods, Artech House, Boston‧London, pp.235 (1990)
7. Shuji Nakamura, The Blue Laser Diode, Springer, New York (1997)
8. S.-W. kim, J.-M. Lee, C. H., N.-M. Park, H.-S. Kim, I.-H. Lee, and S.-J. Park, Appl.Phys.Lett.76, 3079 (1999)
9. S.-J. Chang and Y.-K. Su, Appl.Phys.Lett. 78, 312 (2001)
10. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and T. E. Haynes J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000)
11. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech Appl. Phys. Lett. 76, 415 (1999)
12. J.-S. Jang, and T.-Y. Seong J. Appl. Phys. 88, 3064 (2000)
13. H. W. Jang, K. H. Kim, J. K. Kim, S.-W. Hwang, J. J. Yang, K. J. Lee, S.-J. Son, and J.-L. Lee Appl. Phys. Lett. 79, 1822 (2001)
14. C.-S. Lee, Y.-J. Lin, and C.-T. Lee Appl. Phys. Lett. 79, 3815 (2001)
15. L.-C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, Li Chang, J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, and K.-K. Shih J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999)
16. J..S. Kwak, J.Cho, S. Chae, O. H. Nam, C. Sone, and Y. Park J. Appl. Phys. 40, 6221 (2001)
17. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim J. Appl. Phys. 73, 2953 (1998)
18. C.-F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang Appl. Phys. Lett. 77, 3423 (2000)
19. T. Arai, H. Sueyoshi, Y. Koide, M. Moriyama, and M. Murakami J. Appl. Phys. 89, 2826 (2000)
20. J.-S. Jang, I.-S. Chang, H.-K. Kim, T.-Y. Seong, S. Lee, and S.-J. Park Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1998)
21. L. Zhou, w. Lanford, A. T. Ping, I. Adesida, J. W. Yang, and A. Khan Appl. Phys. Lett. 76, 3451 (2000)
22. V. Adivarahan, A. Lunev, M. A. Khan, J. Yang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska Appl. Phys. Lett. 78, 2781 (2001)
23. American Society for Metals, Metals handbook 8th ed. V.1, Metals Park, Ohio, pp. 1197-1230 (1976)
24. David R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, Boca Raton: CRC pp. 12-130 (2001)
25. 李秉璋、王正和 金屬鍍膜材料簡介 工業材料研究所 (2000)
26. 池田直昭 三菱重工技報 vol.39 p.334 (2002)
27. James E. Raynolds JAP vol.93 p.5351 (2003)WO 01 47038 A (LUMILEDS LIGHTING U.S. LLC) 28 June 2001 (28.06.2001) the whole document
29. C. T. Lee, and H.-W. Kao Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000)
30. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996)
指導教授 綦振瀛(Jen-Inn Chyi) 審核日期 2003-10-5
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明