博碩士論文 92222022 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:46 、訪客IP:3.142.198.51
姓名 陳建勳(Chien-Hsun Chen)  查詢紙本館藏   畢業系所 物理學系
論文名稱 非晶矽繞射光學元件的製作與分析
(Fabrication and Analysis of Amorphous Silicon Diffractive Optical Elements)
相關論文
★ 氫氣的調控對化學氣相沉積法成長石墨烯之影響★ 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的激發光譜
★ 中子質化氮化鎵材料之特性研究★ 鐵磁/超導/鐵磁單電子電晶體的製作與電子自旋不平衡現象的量測
★ 砷化鎵金屬半導體場效電晶體中p型埋藏層之效應★ 熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析
★ 離子佈植摻雜氮化鎵薄膜的光、電、結構特性之分析★ 離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作
★ 矽離子佈植氮化鎵薄膜之電性研究★ 繞射式元件之製程及特性分析
★ 氮化銦鎵/氮化鎵量子井之光特性研究★ 矽離子佈植在P型氮化鎵的材料分析與 元件特性之研究
★ 氮化鎵高數值孔徑微透鏡之設計、製作與特性分析★ 微凹平面鏡及矽光學桌之組裝設計
★ 指叉型氮化鎵發光二極體之設計製作與量測★ 氮化鎵光偵測器的暗電流與激子效應
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 本實驗主要目的為以電漿輔助化學氣相沉積系統(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD)在石英基板上成長平坦的非晶矽薄膜,並進一步以平坦的非晶矽薄膜製作高繞射效率二階相位Fresnel lens。
在實驗中,改變電漿輔助化學氣相沉積系統的SiH4氣體流量、腔體工作壓力、RF power大小,成功沉積出表面粗度小於3nm的非晶矽薄膜。
製作非晶矽薄膜二階相位Fresnel lens時,我們以G-solver軟體模擬及理論計算,求出當以入射光波長633nm,元件所需厚度,以期達到高繞射效率。再利用微影製程及蝕刻技術,製作出二階相位Fresnel lens,當厚度為320nm,有最高繞射效率可達32%,與模擬值34%相當接近。
關鍵字(中) ★ 繞射光學元件
★ 非晶矽
關鍵字(英) ★ Amorphous silicon
★ DOEs
論文目次 目錄
摘要..……..………………………………………………………………………..Ⅰ
致謝………………………………………………………………..………………Ⅱ
目錄………………………………………………………………………………..Ⅲ
圖目錄……………………………………………………………………………..Ⅵ
表目錄……………………………………………………………………………..Ⅸ
第一章 簡介…………………………………………………………….1
參考資料……………………………………………………….3
第二章 非晶矽薄膜製作………………...……………………………..4
2.1 非晶矽薄膜........…....................................................................4
2.2電漿輔助化學氣相沉積的基本原理………….........................4
2.2.1電漿輔助化學氣相沉積基本原理........................................4
2.2.2電漿輔助化學氣象沉積的優點…………………………….6
2.3 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)非晶矽薄膜之成長.............7
2.3.1非晶矽薄膜成長機制.............................................................7
2.3.2 薄膜沉積的參數....................................................................8
參考資料……..…………………………………………….14
第三章 非晶矽薄膜特性分析……… .………………………………...15
3.1 折射率、膜厚...…………….………………….......................15
3.2 非晶矽薄膜平整度…...............................................................15
3.2.1 薄膜平整度量測結果..........................................................15
3.2.2 薄膜平整度討論..................................................................17
3.3 非晶矽薄膜穿透光譜...............................................................17
3.4 非晶矽薄膜吸收光譜...............................................................18
3.5 化學成分分析...........................................................................18
參考資料……………………………………………………..27
第四章 非晶矽薄膜繞射元件製作及原理……………………...……..28
4.1 基本理論………………………………………...…………...28
4.2 繞射式光學元件理論………………………………………...29
4.2.1薄膜光柵…………………………………………………...29
4.2.2 G-solver軟體模擬光柵……………………………………31
4.2.3 Fresnel lens………………………………………………...31
4.3 非晶矽薄膜繞射光學元件製作……………………………...33
4.4 非晶矽光柵量測…………..………………………………….36
4.4.1 光柵繞射角量測……………………………………..……36
4.4.2 光柵繞射效率量測…………………………………..……37
4.5 Fresnel lens量測…………………………………………...38
參考資料………………………………..……………………..51
第五章 結論與未來工作方向…………………………………………..52
5.1 結論………………………………………………………….52
5.2 未來工作方向……………………………………………….53
參考資料……………………………………………………54
表目錄
表3-1 SiH4氣體流量對於非晶矽薄膜特性的影響................................20
表3-2 薄膜厚度於非晶矽薄膜特性的影響...........................................20
表3-3 腔體壓力對於非晶矽薄膜特性的影響.......................................21
表3-4 RF power大小於非晶矽薄膜特性的影響..................................21
表4-1 傳統光學元件與繞射光學元件的比較.......................................40
表4-2 光柵週期20um,入射光波長633nm,各階繞射角度實驗值與理論值比較......................................................................................40
表4-3 光柵週期20um,厚度100nm,入射光波長633nm,繞射光第零階、正負一階之繞射效率實驗值與模擬值比較......................41
表4-4 光柵週期20um,厚度320nm,入射光波長633nm,繞射光第零階、正負一階之繞射效率實驗值與模擬值比較......................42
表4-5 光柵週期20um,厚度500nm,入射光波長633nm,繞射光第零階、正負一階之繞射效率實驗值與模擬值比較.....................43
表4-6 為直徑2mm的二階相位Fresnel lens,其焦距、繞射效率、光點大小的實驗值與理論值的比較.............................................43
表4-7 為直徑1.75mm的二階相位Fresnel lens,其焦距、繞射效率、光點大小的實驗值與理論值的比較.........................................43
圖目錄
圖2-1 電漿輔助化學氣相沉積系統反應腔體圖................................10
圖2-2 RF電極電漿系統中,各部位的電位圖...................................10
圖2-3 在成長非晶矽機制過程圖.........................................................11
圖2-4 固定RF power、腔體壓力、溫度,改變SiH4氣體流量對沉積速率的影響................................................................................12
圖2-5 固定RF power、SiH4氣體流量、溫度,改變腔體壓力對沉積速率的影響.....................................................................................12
圖2-6 固定腔體壓力、SiH4氣體流量、溫度,改變RF power大小對沉積速率的影響.........................................................................13
圖3-1 固定RF power、腔體壓力、溫度,改變SiH4氣體流量對薄膜表面粗度的影響.........................................................................22
圖3-2 固定RF power、溫度、SiH4氣體流量,腔體壓力對薄膜表面粗度的影響.....................................................................................22
圖3-3 固定腔體壓力、溫度、SiH4氣體流量,RF power對薄膜表面粗度的影響.....................................................................................23
圖3-4 固定腔體壓力、溫度、SiH4氣體流量、RF power,薄膜厚度對薄膜表面粗度的影響.................................................................23
圖3-5 非晶矽薄膜因應力過大,產生皺折的情形..............................23
圖3-6 穿透光譜量測的實驗裝置示意圖...............................................24
圖3-7 不同厚度晶矽薄膜穿透率...........................................................25
圖3-8 不同厚度非晶矽薄膜,對於不同光波長的吸收.......................25
圖3-9 薄膜表面化學成分析...................................................................26
圖3-10 距薄膜表面5nm深的化學成分析.............................................26
圖 4-1 為振幅光柵示意圖......................................................................44
圖4-2 為相位光柵示意圖.......................................................................44
圖4-3 為入射光λ經由光柵繞射分光情形...........................................45
圖4-4 為週期20um非晶矽薄膜光柵不同厚度第一階和第零階繞射效率模擬結果..................................................................................45
圖4-5 傳統型凸透鏡以Fresnel zone lens型式製作,縮減厚度,再以二階相位Fresnel zone lens近似.....................................46
圖 4-6 光程差為整數倍之不同路徑示意圖.........................................47
圖4-7 Fresnel lens的實際結構SEM圖.............................................47
圖4-8 光柵量測系統之架設..................................................................48
圖4-9 為Grating 100nm實際繞射圖案..............................................48
圖 4-10 為Grating 320nm實際繞射圖.................................................48
圖 4-11 為Grating 500nm實際繞射圖案.............................................48
圖 4-12 Fresnel lens量測架設圖.....................................................49
圖 4-13 為入射光633nm,入射在100nm厚度之Fresnel lens光場強度分佈圖.......................................................................................49
圖 4-14 為入射光633nm,入射在320nm厚度之Fresnel lens光場強度分佈圖.......................................................................................50
圖 4-15 為入射光633nm,入射在500nm厚度之Fresnel lens光場強度分佈圖....................................................
參考文獻 [1] 李正中,薄膜光學與鍍膜技術,藝軒圖書
[2] 張建宏,多晶矽薄膜製程研究,國立成功大學工程科學研究所,
碩士論文,中華民國91年
[3]M.Harting,S.Woodford. , Thin Solid Film 430(2003) 153-156
[4]Schuegraf, Klaus K. ed, Thin Film Deposition Process and Techniques (Park
Ridge,NJ/Noyes Publications/1988)
[5]John Robertson ,Appl. Phys. Lett 87, 5(1999)
[6] R.A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991), R.A. Street, Phys. Rev. B
44,10610 (1991)
[7] M Moravej , S E Babayan , Plasma Sources Sci. Technol. 13 (2004) 8–14
[8] W. A. P. Classen. J. Electrochem. Soc. April. 1985. vol.123. no4. p893.
[9] M. Harting , S. Woodford,Thin Solid Films 2003;153-156
[10] P. Danesha and B. Pantchev , Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 14, 8 April
2002
[11] Moon J, Ito T, Hiraki A. Thin Solid Films 1993;229:293
[12]盧兆暘, 繞射式光學元件設計與製程之整合研究,國立臺灣大學光電工程研究所,碩
士論文,中華民國85年
[13] W. H. A. Finchan , M. H. Freeman 著,楊建人譯, 光學原理, 徐氏基金會,1986.
[14]H. Nishihara and T. Suhara, ‘Micro Fresnel lenses’, in Progress in
Optics XXIV(1987), E. Wolf, North-Holland, Amsterdam, 3-37
[15]J. Jahns and S.J. Walker, ‘Two-dimensional array of diffractive
microlenses fabricated by thin film deposition, Appl. Opt. 29(1990), 931-936
[16]簡伶鈺,繞射式元件之製程及特性分析,國立中央大學物理研究所,中華民國90年
[17]V.P.Iordanov, R.Ishihara, P.M.Sarro,ECTM, DIM
指導教授 紀國鐘(Gou-Chung Chi) 審核日期 2005-7-22
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明