氮砷化銦鎵雷射二極體成長與研製

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姓名

邱培晉(Pei-Chin Chiu) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

氮砷化銦鎵雷射二極體成長與研製
(Growth and fabrication of InGaAsN laser diode.)

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摘要(中)

本論文針對利用有機金屬氣相磊晶法成長氮砷化銦鎵量子井做一系列的討論，包括磊晶參數的影響，以及改善量子井光學特性的方法，另外觀察釐清氮砷化銦鎵量子井成長在含鋁的磊晶層上光學特性會出現衰化的現象，主要是因為有機金屬氣相磊晶系統內的鋁殘留現象，以及氮和鋁之間的強鍵結所造成的，為了避免此一現象，本文提出二次成長和鈍化法兩種技術解決，尤其是鈍化法，對於量產具有極大的優點，利用這些方法，成功的解決此一問題，製作出1.262微米的氮砷化銦鎵量子井雷射。

摘要(英)

The effects of two-step and nitride passivation growth of InGaAsN QW on AlGaAs/GaAs cladding layers have been studied. It is shown that both methods are effective on reducing Al-contamination and improving optical quality of InGaAsN QW. While lasers prepared by both methods exhibit almost the same characteristics, nitride passivation is preferred due to its simple process and short run-time, which are essential for mass production.

關鍵字(中)

★ 氮砷化銦鎵
★ 雷射

關鍵字(英)

★ InGaAsN
★ Laser

論文目次

目錄
第一章:簡介..............................................................................1
參考文獻……………………………………………………...7
第二章: 氮砷化銦鎵量子井成長以及最佳化...........10
2.1.1.有機金屬氣相磊晶簡介................................................10
2.1.2.光激發光譜系統簡介....................................................11
2.1.3.二次離子質譜儀簡介....................................................11
2.2.1.氮砷化銦鎵量子井的成長............................................15
2.3.1.氮砷化銦鎵量子井的衰化............................................17
2.3.2. 氮砷化銦鎵量子井光螢激發光譜紅位移原因分析..18
參考文獻…………………………………………………….24
第三章:雷射結構與成長..................................................26
3.1.1.雷射結構製程與量測....................................................26
3.2.1.雷射成長-二次成長法...................................................26
3.2.2.二次成長光激發光譜....................................................30
3.2.3.特徵溫度........................................................................34
3.3.1.鈍化法.......................................……………………….36
3.4.1.鈍化法與二次成長法雷射特性比較………................41
參考文獻…………………………………………………….44
第四章:結論和未來工作..................................................46
參考文獻…………………………………………………….49

參考文獻

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指導教授

綦振瀛(Jen-Inn Chyi)

審核日期

2005-7-21

推文