表面復合電流及非白努力方程式對於二維半導體數值分析之影響

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姓名

蔡志維(Tsai-Chih Wei) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

表面復合電流及非白努力方程式對於二維半導體數值分析之影響
(Surface Recombination Current and non-Bernoulli Equation for 2-D Semiconductor Device Simulation)

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摘要(中)

在這篇論文中，我們使用Poisson’s equation以及continuity equations設計出包含表面復合模型的二維混階元件模擬器。藉由這模擬器，可探討元件內部載子復合的情形，以及相伴隨的載子運動效應，接著我們將此種方法建立到一般的元件上，來探討表面復合效應對於元件的影響，並且為了證明電流的影響如同我們所假設，我們也另外建立一個電流極座標表示法，最後我們將討論的一個主題是以non-Bernoulli的電流表示方法，即回歸最原始的漂移電流以及擴散電流，並比較Bernoulli與non-Bernoulli的優缺點。

摘要(英)

In this paper, we use Poisson’s equation and continuity equations to design the surface recombination model for 2-D device simulator. Because this simulator is designed to include the surface carrier recombination, we develop this surface recombination model for p-n diode and BJT device. For proving the influence of surface recombination current, we also build a vector plot to describe the current flow. Finally the other subject to be discussed is the non-Bernoulli equation for current expression. The non-Bernoulli equation returns to the most primitive expression for drift current and diffusion current. We will compare the Bernoulli method and non-Bernoulli method.

關鍵字(中)

★ 非白努力方程式
★ 表面復合效應
★ 白努力

關鍵字(英)

★ Bernoulli function
★ surface recombination

論文目次

目錄
論　文　目　錄 III
圖表目錄 IV
1. 簡介 1
2. 含表面復合模型的二維元件模擬 3
2.1 二維的等效電路模型 3
2.2 含表面復合的二維等效電路模型 6
2.3 載子活期表面復合模型 11
2.4 電流極座標表示法 14
3. 表面復合對元件的影嚮 18
3.1 二極體表面復合效應的建立 18
3.2 順向偏壓與逆向偏壓對表面復率的影響 19
3.3 表面復合效應對二極體電流的影響 21
3.4 以極座標表示法探討表面復合電流 25
3.5 電晶體表面復合效應的建立 28
3.6 表面復合對電晶體電流的影響 31
4. Bernoulli function與non-Bernoulli function的電流模擬方法與比較 34
4.1 白努力電流模擬方法及其優缺點 34
4.2 非白努力電流模擬方法及其優缺點 36
4.3 二種方法於二極體元件上的比較 38
4.4 二種方法於電晶體元件上的比較 41
5. 結論 43
參考文獻 44

參考文獻

參考文獻
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指導教授

蔡曜聰(Yao-Tsung Tsai)

審核日期

2009-6-25

推文