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[電機工程研究所] 期刊論文
2004
GalGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates
LaRoche,JR
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Baik,KH
;
Stodilka,D
;
Gila,B
;
Abernathy,CR
;
Pearton,SJ
;
Usikov,A
;
Tsvetkov,D
;
Soukhoveev,V
;
Gainer,G
;
Rechnikov,A
;
Dimitriev,V
;
Chen,GT
;
Pan,CC
;
Chyi,JI
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