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    題名: 砷化鎵高速電子遷移率之電晶體微波/毫米波放大器設計;Microwave/Millimeter-wave Amplifier using GaAs HEMT device
    作者: 羅勝名;Sheng-ming Luo
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 低雜訊放大器;電感提升;分佈式放大器;distributed amplifier;low noise amplifie;inductive peaking
    日期: 2008-06-30
    上傳時間: 2009-09-22 12:12:11 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 近年來無線通訊的迅速發展,微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用,並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器,希望可以解決高頻率的小訊號增益,改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。 第一章為整篇論文的緒論,第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性,使用HP IC-CAP軟體,搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性,並將萃取出來的小訊號模型,於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器,再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較,同時也設計K頻段功率放大器,希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中,第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器,希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬,再使用90 nm CMOS 製程,希望實現有80 GHz的頻寬。 近年來無線通訊的迅速發展,微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用,並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器,希望可以解決高頻率的小訊號增益,改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。 第一章為整篇論文的緒論,第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性,使用HP IC-CAP軟體,搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性,並將萃取出來的小訊號模型,於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器,再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較,同時也設計K頻段功率放大器,希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中,第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器,希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬,再使用90 nm CMOS 製程,希望實現有80 GHz的頻寬。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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