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    題名: 表面復合電流及非白努力方程式對於二維半導體數值分析之影響;Surface Recombination Current and non-Bernoulli Equation for 2-D Semiconductor Device Simulation
    作者: 蔡志維;Tsai-Chih Wei
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 非白努力方程式;表面復合效應;白努力;Bernoulli function;surface recombination
    日期: 2009-06-19
    上傳時間: 2009-09-22 12:16:48 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在這篇論文中,我們使用Poisson’s equation以及continuity equations設計出包含表面復合模型的二維混階元件模擬器。藉由這模擬器,可探討元件內部載子復合的情形,以及相伴隨的載子運動效應,接著我們將此種方法建立到一般的元件上,來探討表面復合效應對於元件的影響,並且為了證明電流的影響如同我們所假設,我們也另外建立一個電流極座標表示法,最後我們將討論的一個主題是以non-Bernoulli的電流表示方法,即回歸最原始的漂移電流以及擴散電流,並比較Bernoulli與non-Bernoulli的優缺點。 In this paper, we use Poisson’s equation and continuity equations to design the surface recombination model for 2-D device simulator. Because this simulator is designed to include the surface carrier recombination, we develop this surface recombination model for p-n diode and BJT device. For proving the influence of surface recombination current, we also build a vector plot to describe the current flow. Finally the other subject to be discussed is the non-Bernoulli equation for current expression. The non-Bernoulli equation returns to the most primitive expression for drift current and diffusion current. We will compare the Bernoulli method and non-Bernoulli method.
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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