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    題名: 鈷鈦矽三元平衡相圖及其擴散反應之研究
    作者: 周志誠;Zhe-Chen Yu
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 鈷鈦矽三元相圖
    日期: 2000-07-04
    上傳時間: 2009-09-21 11:33:18 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文重新以實驗測定鈷鈦矽三元系統在950oC之三元平衡相圖,同時對鈷鈦矽之擴散與反應行為做探討。 在鈷鈦矽三元相圖的研究中,本論文利用粉末X光繞射(XRD)、電子微探儀(EPMA)及金相觀察等分析方法來測定950oC鈷鈦矽三元相圖。實驗結果確認了文獻中有疑問的相Co2Si13Ti5事實上為Co10Si63Ti27。此外,對於文獻之相圖亦做了多處的修正。 在固態擴散反應部份,利用EPMA line-scan進行反應後濃度分布之分析。以鈷箔(100 mm)、鈦箔(25 mm)及矽單晶進行Co/Ti/Si三元系統之擴散反應,將樣品置於真空(<10-5 torr)中進行800oC下12~120小時,以及900oC下60和120小時之熱處理。分析結果,兩種溫度的擴散反應層都相當的複雜,800oC最後的擴散結果會在Si表面生成Co7Si64Ti29;900oC最後的擴散結果會在Si表面生成CoSi2。此外,亦將樣品置於Ar氣氛下進行800oC、10小時之熱處理,得到的擴散層反應情況與真空中反應的結果類似。為了進一步探討Ti在薄膜反應中扮演的角色,我們以濺鍍的方法在Si單晶上鍍上鈦的厚膜(5 mm),接著再與Co箔(100 mm)進行Co/Ti/Si三元系統之擴散反應,將樣品置於真空中進行800及900oC下20~60小時之熱處理。分析結果,兩種溫度的擴散反應層多數僅得到TiSi2,僅少數部份有Co/Ti/Si三元的擴散反應。最後,以CoTi合金和Si單晶進行CoTi/Si三元系統之擴散反應。將樣品封於真空(5 mtorr)石英管中,進行900oC下60和120小時以及950oC下300和500小時之熱處理。分析結果,950oC的擴散反應層會得到CoSi2。 最後,將擴散反應之結果與Co-Ti-Si三元相圖做對照,並由此歸納出Co/Ti/Si三元系統之擴散路徑。
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

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