English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 66984/66984 (100%)
Visitors : 23025323      Online Users : 523
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/2510


    Title: 熱化學氣相沉積法製備橫向奈米碳管之研究;Properties of lateral carbon nanotube grown by thermal CVD
    Authors: 何萬青;Wan-Ching Ho
    Contributors: 機械工程研究所
    Keywords: 接觸電阻;拉曼散射光譜;熱化學氣相沉積法;奈米碳管;contact resistance;Raman Spectroscopy;Thermal CVD;carbon nanotube
    Date: 2005-06-17
    Issue Date: 2009-09-21 11:48:56 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 摘要 實驗利用常壓熱化學氣相沉積(Thermal Chemical Vapor Deposition, Thermal CVD)成長橫向奈米碳管。配合I-line 微影技術,及金屬層蝕刻定義元件形狀。利用單因子實驗,設定不同操作參數,如製程溫度、乙烯在碳源中比例、甲烷流量、製程時間、不同載流氣體種類等,而得到數量、形貌、品質優良橫向奈米碳管,並結合微影 定義合成元件結構。並利用拉曼散射光譜(Raman Spectroscopy)分析,判定奈米碳管石墨化程度好壞。橫向奈米碳管元件利用I-V 電性量測分析,探討元件電性穩定性。並透過公式推算,計算元件電阻。由於元件成長橫向奈米碳管之催化劑為鎳金屬層,亦藉由本實驗設計結構,計算鎳金屬層和橫向奈米碳管之接觸電阻問題。 奈米碳管之物理特性廣受各界的期待,但由於成長定位方式,及製程相容之不成熟,故奈米碳管之應用產品仍在實驗階段。本次實驗成功利用不同製程參數,控制橫向奈米碳管的成長數量及品質。利用兼容IC 製程,配合微影定義元件形狀,傳統成長奈米碳管技術成長橫向奈米碳管。也由設計的元件結構合成橫向奈米碳管橋建元件,整 合元件之品質與穩定,對未來奈米碳管之定位與應用盡一分心力。
    Appears in Collections:[機械工程研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat
    0KbUnknown682View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明