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    題名: 熱力微照射製作絕緣層矽晶材料之研究;The Research of Thermal-Microwave SOI Materials technology
    作者: 鄭仁廸;Jen-Ti Cheng
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 絕緣層矽晶;氫氣離子佈植;晶圓鍵合;微波能照射;wafer bonding;Silicon On Insulator(SOI);hydrogen implantation;microwave irradiation
    日期: 2005-06-27
    上傳時間: 2009-09-21 11:50:03 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在半導體製程進入了次微米的時代,使用一般矽塊材(bulk Si)結構製作更高效能之元件已面臨挑戰與貧頸。而絕緣層矽晶(Silicon On Insulator, SOI)特殊的結構將可提供一個更好的方向克服元件微小化所遇到之問題。 有鑑於此,本文首章介紹絕緣層矽晶之各項性質、製程與應用。第二章概述以離子佈植方式轉移薄膜之機制。第三章探討使用微波能激發之原理並如何運用於絕緣層矽晶上。第四章介紹一套全新薄膜轉移方式-熱力微波製程,期望在低溫快速地情況下獲得大尺寸面積SOI材料。 實驗結果發現,經電漿活化鍵合後,使用熱力微波製程確實成功將八吋薄膜轉移,獲得完整絕緣層矽晶材料。而由AFM與TEM影像觀察,其表面及橫截面之特性皆可適用於目前半導體製程。
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

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