Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing

NCU Institutional Repository > 工學院 > 材料科學與工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/29783

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/29783

題名:	Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing
作者:	Chen,P. S.;Lee,S. W.;Lee,M. H.;Liu,C. W.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	QUANTUM DOTS;GE;ISLANDS;GROWTH;EVOLUTION
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 15:57:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-quality relaxed SiGe films on Si (0 0 1) have been demonstrated with a buffer layer containing modified SiGe (m-SiGe) islands in ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system. The m-SiGe islands are smoothened by capping an appropriate
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	523	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing