Flip-chip assembled GaAs pHEMT Ka-band oscillator

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题名:	Flip-chip assembled GaAs pHEMT Ka-band oscillator
作者:	Huang,Wei-Kuo;Liu,Yu-An;Wang,Che-Ming;Hsin,Yue-Ming;Liu,Cheng-Yi;Yeh,Tsung-Jung
贡献者:	化學工程與材料工程研究所
关键词:	NOISE;VCO
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 16:16:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this letter, we present a Ka-band oscillator with flip-chip assembled 0.15-mu m-gate pHEMT. With a characterized 0.15-mu m-gate GaAs pHEMT and consideration of the Au-Sn pillar bump transition, the GaAs pHEMT was flip-chip assembled on Al2O3 substrate
關聯:	IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
显示于类别:	[化學工程與材料工程研究所] 期刊論文

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