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    題名: Flip-chip assembled GaAs pHEMT Ka-band oscillator
    作者: Huang,Wei-Kuo;Liu,Yu-An;Wang,Che-Ming;Hsin,Yue-Ming;Liu,Cheng-Yi;Yeh,Tsung-Jung
    貢獻者: 化學工程與材料工程研究所
    關鍵詞: NOISE;VCO
    日期: 2007
    上傳時間: 2010-07-06 16:16:46 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In this letter, we present a Ka-band oscillator with flip-chip assembled 0.15-mu m-gate pHEMT. With a characterized 0.15-mu m-gate GaAs pHEMT and consideration of the Au-Sn pillar bump transition, the GaAs pHEMT was flip-chip assembled on Al2O3 substrate
    關聯: IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
    顯示於類別:[化學工程與材料工程研究所] 期刊論文

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