Stress relaxation in GaN by transfer bonding on Si substrates

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题名:	Stress relaxation in GaN by transfer bonding on Si substrates
作者:	Hsu,S. C.;Pong,B. J.;Li,W. H.;Beechem,Thomas E.,III;Graham,Samuel;Liu,C. Y.
贡献者:	化學工程與材料工程研究所
关键词:	LIGHT-EMITTING-DIODES;LASER LIFT-OFF;SAPPHIRE
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 16:17:43 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The stress state of GaN epilayers transferred onto Si substrates through a Au-Si bonding process was studied by micro-Raman scattering and photoluminescence techniques. By increasing the Au bonding thickness from 1 to 40 mu m, the high compressive stress
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[化學工程與材料工程研究所] 期刊論文

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