Device linearity improvement of In0.49Ga0.51P/In0.15Ga0.85As doped-channel FETs with a metal plug alloy process

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题名:	Device linearity improvement of In0.49Ga0.51P/In0.15Ga0.85As doped-channel FETs with a metal plug alloy process
作者:	Chien,Feng-Tso;Liao,Chien-Nan;Yin,Jin-Mu;Chiu,Hsien-Chin;Tsai,Yao-Tsung
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	FIELD-EFFECT TRANSISTORS;ACCESS RESISTANCE;DRAIN RESISTANCE;GAAS-MESFET;HETEROSTRUCTURES;AMPLIFIERS;SINGLE;HEMTS;HFETS;BAND
日期:	2008
上传时间:	2010-07-06 18:12:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The effect of reducing source and drain resistance on the device linearity of doped-channel heterostructure FETs is investigated in this work. The proposed metal plug alloy process reduces the parasitic ohmic alloyed resistance caused by the undoped Schot
關聯:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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