High-speed GaN-based green light-emitting diodes with partially n-doped active layers and current-confined apertures

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題名:	High-speed GaN-based green light-emitting diodes with partially n-doped active layers and current-confined apertures
作者:	Shi,J. -W.;Sheu,J. -K.;Chen,C. -H.;Lin,G. -R.;Lai,W. -C.
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	PLASTIC OPTICAL-FIBER;COMMUNICATION;MODULATION;LEDS
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:12:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrate a high-speed GaN-based green light-emitting diode for plastic optical fiber (POF) communication applications. By using a combination of n-type doping and undoped InxGa1-xN/GaN based multiple quantum wells (MQWs), and a 76-mu m-diameter curr
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS??
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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