Low turn-on voltage and high-current InP/In0.37Ga0.63As0.89Sb0.11/In(0.53)Ga(0.47)AS double heterojunction bipolar transistors

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题名:	Low turn-on voltage and high-current InP/In0.37Ga0.63As0.89Sb0.11/In(0.53)Ga(0.47)AS double heterojunction bipolar transistors
作者:	Chen,Shu-Han;Teng,Kuo-Hung;Chen,Hsin-Yuan;Wang,Sheng-Yu;Chyi,Jen-Inn
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GHZ;DHBTS
日期:	2008
上传时间:	2010-07-06 18:13:19 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report on the de and microwave characteristies Of an InP/In0.37Ga0.63As0.89Sb0.11/In0.53Ga0.47As double heterojunction bipolar transistor grown by solid-source molecular beam epitaxy. The pseudomorphic In0.37Ga0.63As0.89Sb0.11 base reduces the conducti
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS????
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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