Dual-gate E/E- and E/D-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs for microwave circuit applications

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32031

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32031

題名:	Dual-gate E/E- and E/D-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs for microwave circuit applications
作者:	Lin,Dong-Ming;Lin,Cheng-Kuo;Huang,Fan-Hsiu;Wu,Jia-Shyan;Wang,Wen-Kai;Tsai,Yu-Yi;Chan,Yi-Jen;Wang,Yu-Chi
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	VOLTAGE;FETS
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 18:16:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this paper, we developed dual-gate enhancement/ enhancement-mode (E/E-mode) and enhancement/depletionmode (E/D-mode) AlGaAs/InGaAs pHEMTs for high-voltage and high-power device applications. These dual-gate devices had a higher breakdown voltage (V-br)
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	448	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing