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    題名: Dual-gate E/E- and E/D-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs for microwave circuit applications
    作者: Lin,Dong-Ming;Lin,Cheng-Kuo;Huang,Fan-Hsiu;Wu,Jia-Shyan;Wang,Wen-Kai;Tsai,Yu-Yi;Chan,Yi-Jen;Wang,Yu-Chi
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: VOLTAGE;FETS
    日期: 2007
    上傳時間: 2010-07-06 18:16:58 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In this paper, we developed dual-gate enhancement/ enhancement-mode (E/E-mode) and enhancement/depletionmode (E/D-mode) AlGaAs/InGaAs pHEMTs for high-voltage and high-power device applications. These dual-gate devices had a higher breakdown voltage (V-br)
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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