Ge nanocrystal metal-oxide-semiconductor transistors with Ge nanocrystals formed by thermal oxidation of poly-Si0.88Ge0.12

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题名:	Ge nanocrystal metal-oxide-semiconductor transistors with Ge nanocrystals formed by thermal oxidation of poly-Si0.88Ge0.12
作者:	Wu,J. H.;Li,P. W.
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 18:17:16 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have experimentally fabricated Ge-nanocrystals (ncs) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with significant capacitance-voltage hysteresis window, threshold voltage shift and good retention. The Ge-ncs/SiO2 system has a good char
關聯:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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