Room-temperature observation of current bistability and fine structures in germanium quantum dots/SiO2 resonant tunneling diodes

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題名:	Room-temperature observation of current bistability and fine structures in germanium quantum dots/SiO2 resonant tunneling diodes
作者:	Hsu,Y. C.;Lai,W. T.;Li,P. W.;Kuo,David M. T.
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	TRANSISTORS;TRANSPORT
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 18:18:34 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The steady-state and time-dependent current-voltage (I-P) characteristics are experimentally investigated in Ge quantum dot (QD)/ SiO2 resonant tunneling diodes (RTDs). Ge QDs embedded in a SiO2 matrix are naturally formed by thermal oxidation of Si0.9Ge0
關聯:	PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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