Temperature dependent study of InAlAs-InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

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題名:	Temperature dependent study of InAlAs-InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
作者:	Wang,Che-ming;Hsin,Yue-Ming
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INP/INGAAS HBTS
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 18:18:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InAlAs-InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors (HBTs) with InAlAs-InP composite emitter have been grown, fabricated, and characterized at various temperatures from 77 to 400 K. The InAlAs-InP composite emitter structure effectively reduce
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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