Catalyst-free growth of indium nitride nanorods by chemical-beam epitaxy

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題名:	Catalyst-free growth of indium nitride nanorods by chemical-beam epitaxy
作者:	Chao,C. K.;Chyi,J. I.;Hsiao,C. N.;Kei,C. C.;Kuo,S. Y.;Chang,H. -S.;Hsu,T. M.
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	FUNDAMENTAL-BAND GAP;HEXAGONAL INN;NANOWIRES
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 18:20:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrate the growth of indium nitride (InN) nanorods on sapphire by chemical-beam epitaxy without a catalyst. The nanorods are synthesized nearly unidirectionally along the 001) direction and the diameters varied in the range of 20-40 nm with In/N f
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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