Enhancing luminescence efficiency of InAs quantum dots at 1.5 mu m using a carrier blocking layer

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题名:	Enhancing luminescence efficiency of InAs quantum dots at 1.5 mu m using a carrier blocking layer
作者:	Hsieh,Tung-Po;Chiu,Pei-Chin;Chyi,Jen-Inn;Chang,Hsiang-Szu;Chen,Wen-Yen;Hsu,Tzu Min;Chang,Wen-Hao
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;OPTICAL-PROPERTIES;LASERS;GAAS;SEPARATION;EMISSION;MATRIX;RANGE
日期:	2006
上传时间:	2010-07-06 18:20:32 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The authors report an effective way to enhance the optical efficiency of InAs quantum dots (QDs) on GaAs emitting at the wavelength of 1.5 mu m. It is found that the loss of holes from QDs to their proximity via the high indium composition InGaAs overgrow
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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