A built-in self-repair design for RAMs with 2-D redundancy

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題名:	A built-in self-repair design for RAMs with 2-D redundancy
作者:	Li,JF;Yeh,JC;Huang,RF;Wu,CW
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:22:19 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This brief presents a built-in self-repair (BISR) scheme for semiconductor memories with two-dimensional (2-D) redundancy structures, i.e., spare rows and spare columns. The BISR design is composed of a built-in self-test module and a built-in redundancy
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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