BCB-bridged distributed wideband SPST switch using 0.25-mu m In0.5Al0.5As-In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32274

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32274

題名:	BCB-bridged distributed wideband SPST switch using 0.25-mu m In0.5Al0.5As-In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs
作者:	Lin,CK;Wang,WK;Chan,YJ;Chiou,HK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HIGH-PERFORMANCE;GAAS;TRANSISTORS;MODFETS;GHZ
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:22:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In(0.5)AI(0.5)As-In0.5Ga0.5As metamorphic high-electron mobility transistor (mHEMT) dc-30 GHz distributed single-pole-single through (SPST) switches were designed and fabricated using the low-kappa. benzocyclobutene (BCB) bridged technology. The current g
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	485	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing