Electroreflectance studies of InAs quantum dots with InxGa1-xAs capping layer grown by metalorganic chemical vapor deposition

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32300

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32300

題名:	Electroreflectance studies of InAs quantum dots with InxGa1-xAs capping layer grown by metalorganic chemical vapor deposition
作者:	Chang,WH;Chen,HY;Chang,HS;Chen,WY;Hsu,TM;Hsieh,TP;Chyi,JI;Yeh,NT
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	1.3 MU-M;DEPENDENCE;EMISSION;SHIFT;LASER
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:23:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Electroreflectance spectroscopy was used to study the effect of InxGa1-xAs capping layer on InAs quantum dots grown by metaloiganic chemical vapor deposition. The optical transitions of the quantum dots. and the InxGa1-xAs capping layer were well resolved
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	471	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing