Performance enhancement by using the n(+)-GaN cap layer and gate recess technology on the AlGaN/GaN HEMTs fabrication.

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32341

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32341

題名:	Performance enhancement by using the n(+)-GaN cap layer and gate recess technology on the AlGaN/GaN HEMTs fabrication.
作者:	Wang,WK;Lin,PC;Lin,CH;Lin,CK;Chan,YJ;Chen,GT;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Due to the low mobility and wide bandgap characteristics of the undoped AlGaN layer used in the conventional AlGaN/GaN HEMT as a cap layer, the dc and rf performances of the device will be limited by its disadvantages of high ohmic contact resistance and
關聯:	COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	525	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing