Performance enhancement by using the n(+)-GaN cap layer and gate recess technology on the AlGaN-GaNHEMT fabrication

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題名:	Performance enhancement by using the n(+)-GaN cap layer and gate recess technology on the AlGaN-GaNHEMT fabrication
作者:	Wang,WK;Lin,PC;Lin,CH;Lin,CK;Chan,YJ;Chen,GT;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HEMTS
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:33 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Due to the low mobility and wide bandgap characteristics of the undoped AlGaN layer used in the conventional AlGaN-GaN HEMT as a cap layer, the RF performance of this device will be limited by its high contact resistance and high knee voltage. In this let
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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