The improvements of GaN p-i-n UV sensor on 1 degrees off-axis sapphire substrate

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题名:	The improvements of GaN p-i-n UV sensor on 1 degrees off-axis sapphire substrate
作者:	Liu,SS;Li,PW;Lan,WH;Lin,WJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;THERMAL-TREATMENT;BUFFER LAYER;MISORIENTATION;GROWTH;PHOTODETECTORS;TEMPERATURE;DEPENDENCE;DETECTORS;QUALITY
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:25:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A thin gallium nitride (GaN) layer epitaxially grown on misorientation angles of a-plane 1 degrees off-axis sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) has exhibited excellent film qualities such as enhanced crystallinity, lower
關聯:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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