A new self-defined empirical large-signal model for enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs

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题名:	A new self-defined empirical large-signal model for enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs
作者:	Wang,WK;Lin,CK;Wu,CC;Li,YJ;Chan,YJ
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:25:56 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We propose a complete self-defined empirical large-signal model, particularly including the noise characteristics, for the enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs. This model achieves the excellent fitting of the dc I-V and microwave performance by consider
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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