High linearity InGaP/GaAs power HBTs by collector design

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题名:	High linearity InGaP/GaAs power HBTs by collector design
作者:	Wang,CM;Hsu,HT;Shu,HC;Hsin,YM
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:26:37 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Improved power linearity of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with collector design is reported. The collector design is based on nonuniform collector doping profile which is to employ a high-doping layer (5 X 10(17) CM-3 /200 Angstrom)
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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