Low-k BCB passivation on AlGaN-GaN HEMT fabrication

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題名:	Low-k BCB passivation on AlGaN-GaN HEMT fabrication
作者:	Wang,WK;Lin,CH;Lin,PC;Lin,CK;Huang,FH;Chan,YJ;Chen,GT;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SURFACE PASSIVATION
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:26:56 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Due to the stress-induced polarization effect on the GaN HEMTs, the surface passivation of the device is critical and is deserved to conduct a detailed study. It has been proven that the GaN HEMTs demonstrate nondispersive pulsed current-voltage (I-V) cha
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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