Nonlinear behaviors of low-temperature-grown GaAs-based photodetectors around 1.3 mu m telecommunication wavelength

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題名:	Nonlinear behaviors of low-temperature-grown GaAs-based photodetectors around 1.3 mu m telecommunication wavelength
作者:	Shi,JW;Chen,YH;Gan,KG;Chiu,YJ;Bowers,JE;Tien,MC;Liu,TM;Sun,CK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	TRAVELING-WAVE-PHOTODETECTORS;POWER-BANDWIDTH-PRODUCT;CARRIER DYNAMICS;HIGH-SPEED;PERFORMANCES;1.55-MU-M
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We observed distinct bandwidth degradation behaviors in low-temperature-grown GaAs (LTG-GaAs)-based traveling-wave photodetectors (PDs) under similar to1300-nm telecommunication wavelength operation. Compared with the bandwidth degradation behaviors of di
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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