Optical study of spin injection dynamics in InGaN/GaN quantum wells with GaMnN injection layers

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題名:	Optical study of spin injection dynamics in InGaN/GaN quantum wells with GaMnN injection layers
作者:	Buyanova,IA;Bergman,JP;Chen,WM;Thaler,G;Frazier,R;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Kim,J;Ren,F;Kyrychenko,FV;Stanton,CJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,J;Zavada,JM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM-EPITAXY;LIGHT-EMITTING-DIODES;FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS;MAGNETIC SEMICONDUCTORS;THIN-FILMS;GAN;SPINTRONICS;ORIGIN
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:24 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The spin injection dynamics of GaMnN/InGaN multiquantum well (MQW) light emitting diodes (LEDs) grown by molecular beam epitaxy were examined using picosecond-transient and circularly polarized photoluminescence (PL) measurements. Even with the presence o
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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