Performance enhancement by the In0.65Ga0.35As pseudomorphic channel on the In0.5Al0.5As metamorphic buffer layer

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題名:	Performance enhancement by the In0.65Ga0.35As pseudomorphic channel on the In0.5Al0.5As metamorphic buffer layer
作者:	Lin,CK;Wu,JC;Wang,WK;Chan,YJ;Wu,JS;Pan,YC;Tsai,CC;Lai,JT
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	GAAS SUBSTRATE;HEMTS;TRANSISTORS;MODFETS
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have developed the 1-mum gate-length devices of In0.65Ga0.65As pseudomorphic channel (PC) on the In0.5Al0.5As metamorphic buffer layer to improve the device performance, as compared with the In0.5Ga0.5As lattice matched ones. The dc maximum drain-to-so
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[Graduate Institute of Electrical Engineering] journal & Dissertation

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