A modified scalable large-signal rf model for quasi-enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs

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題名:	A modified scalable large-signal rf model for quasi-enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs
作者:	Wang,CW;Lin,CK;Yang,SC;Chan,YJ;Gan,TH
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MESFET
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:28:32 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A scalable rf large-signal model of quasi-enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs has been purposed to make a well prediction of the device non-linear characteristics. Besides the fundamental requirements of the well-matched dc, small signal characteristics
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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