Boundary effects on the optical properties of InGaN multiple quantum wells

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32465

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32465

題名:	Boundary effects on the optical properties of InGaN multiple quantum wells
作者:	Peng,LH;Lai,CM;Shih,CW;Chuo,CC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	FIELD-EFFECT TRANSISTORS;ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;SPONTANEOUS EMISSION;GAN;POLARIZATION;GAIN;RECOMBINATION;MECHANISMS;EXCITATION;ELECTRONS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:28:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We examine the issues of spontaneous and piezoelectric polarization discontinuity on the optical properties of 3.0-nm-thick indium gallium nitride (InGaN) multiple quantum wells (MQWs). A quench of band-edge emission from the cap GaN layer is observed whe
關聯:	IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	605	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing