Current-voltage and reverse recovery characteristics of bulk GaN p-i-n rectifiers

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题名:	Current-voltage and reverse recovery characteristics of bulk GaN p-i-n rectifiers
作者:	Irokawa,Y;Luo,B;Kim,J;LaRoche,JR;Ren,F;Baik,KH;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Park,SS;Park,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SCHOTTKY RECTIFIERS;BREAKDOWN VOLTAGE;POWER RECTIFIERS;DIODES;PERFORMANCE;DEPENDENCE;TRANSPORT;DEVICES
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:28:53 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	p-i-n rectifiers were fabricated on epitaxial layers grown on free-standing GaN substrates. The forward turn-on voltage, V-F was similar to5 V at 300 K and displayed a positive temperature coefficient. The specific on-state resistance (R-ON) was similar t
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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