Effect of substrate biasing on Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low-power circuit applications

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32475

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32475

題名:	Effect of substrate biasing on Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low-power circuit applications
作者:	Li,PW;Liao,WM;Shih,CC;Kuo,TS;Lai,LS;Tseng,YT;Tsai,MJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	LOW-FREQUENCY NOISE;PMOSFETS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:05 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have investigated the effect of substrate biasing on the subthreshold characteristics and noise levels of Si/Si1-xGex (x = 0, 0.15, 0.3) heterostructure MOSFETs. A detailed, analysis of the dependence of threshold voltage, off-state current, and low-fr
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	425	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing