Er diffusion into gallium nitride

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题名:	Er diffusion into gallium nitride
作者:	Chen,CC;Ting,YS;Lee,CC;Chi,GC;Chakraborty,P;Chini,T;Chuang,HW;Tsang,JS;Kuo,CT;Tsai,WC;Chen,SH;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;DOPED GAN;IMPLANTED GAN;EMISSION;PHOTOLUMINESCENCE;ELECTROLUMINESCENCE;SI;EU
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:29:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, we report the diffusion mechanism of Er in GaN and the optical properties of Er-diffused GaN. The diffusion coefficient has been measured by Rutherford backscattering spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. Erbium is also implante
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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