Surface band-bending effects on the optical properties of indium gallium nitride multiple quantum wells

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題名:	Surface band-bending effects on the optical properties of indium gallium nitride multiple quantum wells
作者:	Peng,LH;Shih,CW;Lai,CM;Chuo,CC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;FIELD-EFFECT TRANSISTORS;INGAN SINGLE;LASER-DIODES;POLARIZATION;EMISSION;BLUE;SEMICONDUCTORS;ALGAN/GAN;DEVICES
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:30:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the use of selective wavelength excitation to examine the surface band-bending effects on the optical properties of 3.0-nm-thick indium gallium nitride (InGaN) multiple quantum wells (MQWs). Under a 355-nm excitation, the In0.18Ga0.82N well emis
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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