Effect of composition inhomogeneity on the photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells upon thermal annealing

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题名:	Effect of composition inhomogeneity on the photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells upon thermal annealing
作者:	Chuo,CC;Chang,MN;Pan,FM;Lee,CM;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;PHASE-SEPARATION;INTERDIFFUSION
日期:	2002
上传时间:	2010-07-06 18:31:14 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The optical properties of thermally annealed InGaN/GaN multiple quantum wells were investigated by low-temperature photoluminescence measurements. It is found that the photoluminescence peak exhibits a redshift followed by a blueshift as the annealing tim
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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