High-speed Si-based metal-semiconductor-metal photodetectors with an additional composition-graded i-a-Si1-xGex : H layer

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題名:	High-speed Si-based metal-semiconductor-metal photodetectors with an additional composition-graded i-a-Si1-xGex : H layer
作者:	Lin,CS;Yeh,RH;Liao,CH;Hong,JW
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON;ALLOYS;DEFECTS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:22 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The response-speed of Si-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors was improved by depositing a composition-graded intrinsic hydrogenated amorphous silicon-germanium (i-a-Si1-xGex:H) layer on crystalline silicon (c-Si). In contrast to the non-c
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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