AlGaAs/InGaAs heterostructure doped-channel FET's exhibiting good electrical performance at high temperatures

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題名:	AlGaAs/InGaAs heterostructure doped-channel FET's exhibiting good electrical performance at high temperatures
作者:	Chiu,HC;Yang,SC;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	GAAS-MESFETS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:32:50 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-power and high-efficiency GaAs heterostructure field-effect transistors (FETs) are attracting tremendous attention in RF power amplifier applications. However, thermal effects can be an important issue in RF power devices, owing to the huge amount of
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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