Effect of thermal annealing on high indium content InGaN/GaN single quantum well structures

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32597

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32597

题名:	Effect of thermal annealing on high indium content InGaN/GaN single quantum well structures
作者:	Chen,CC;Hsieh,KL;Chi,GC;Chuo,CC;Chyi,JI;Chang,CA
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	P-TYPE GAN;BAND OFFSETS;STIMULATED-EMISSION;PHASE-SEPARATION;HETEROJUNCTIONS;INTERDIFFUSION;INXGA1-XN;DEFECTS;CONTACT;ENERGY
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:33:27 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Photoluminescence measurement in surface-emitting geometry, optical pumping in edge-emitting geometry and spatially resolved spectra measurement were performed to study high-indium-content InxGa1-xN/GaN single quantum well (SQW) structures (x greater than
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	464	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing