High power density of AlGaAs/InGaAs doped-channel FETs with low DC power supply

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题名:	High power density of AlGaAs/InGaAs doped-channel FETs with low DC power supply
作者:	Chiu,HC;Yang,SC;Chien,FT;Chan,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	HIGH-EFFICIENCY;DESIGN;HEMTS
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:33:49 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High power density Al(0.3)G(0.7)As/In0.15Ga0.85As doped-channel FETs (modified DCFETs) biased at 3V for 2.4GHz wireless communication applications are proposed. A planar Si delta -doped laver is inserted inside the wide-bandgap undoped AlGaAs layer to red
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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