SiO2/Gd2O3/GaN metal oxide semiconductor field effect transistors

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题名:	SiO2/Gd2O3/GaN metal oxide semiconductor field effect transistors
作者:	Johnson,JW;Gila,BP;Luo,B;Lee,KP;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Chyi,JI;Nee,TE;Lee,CM;Chuo,CC;Ren,F
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GAN;HFETS;GENERATION;DEVICES
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:34:44 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN-based metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) were demonstrated using a stacked gate oxide consisting of single-crystal Gd2O3 and amorphous SiO2. Gd2O3 provides a good oxide/semiconductor interface and SiO2 reduces the gate leakag
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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