Two-component photoluminescence decay in InGaN/GaN multiple quantum well structures

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題名:	Two-component photoluminescence decay in InGaN/GaN multiple quantum well structures
作者:	Feng,SW;Cheng,YC;Liao,CC;Chung,YY;Liu,CW;Yang,CC;Lin,YS;Ma,KJ;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE;LOCALIZED EXCITONS;EMISSION
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:53 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Two-component decay of time-resolved photo luminescence (TRPL) intensity in three InGaN/GaN multiple quantum well samples were observed. The first-decay component was attributed to exciton relaxation of free-carrier and localized states; the second-decay
關聯:	PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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